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NTE4153NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTE4153NT1G
库存编号2317887
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续915mA
漏源接通状态电阻0.23ohm
晶体管封装类型SC-89
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值760mV
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTE4153NT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 20V drain source voltage and 915mA continuous drain current. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits, battery management, portables like cell phones, PDAs, digital cameras and pagers.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- -55 to 150°C Operating temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
915mA
晶体管封装类型
SC-89
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.23ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
760mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000027