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NTH4L045N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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| 10+ | CNY64.980 (CNY73.4274) |
| 50+ | CNY63.030 (CNY71.2239) |
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| 250+ | CNY59.140 (CNY66.8282) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTH4L045N065SC1
库存编号3766206
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续55A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.033ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散187W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
55A
漏源接通状态电阻
0.033ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
187W
产品范围
EliteSiC Series
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004