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NTHL060N090SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHL060N090SC1
库存编号3367856
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续46A
漏源电压, Vds900V
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散221W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
NTHL060N090SC1 是 EliteSiC 碳化硅 (SiC) MOSFET。典型应用包括 UPS、直流到直流转换器和升压逆变器。
- 100%经过UIL测试
- 低有效输出电容（典型值 Coss= 113pF）
- 在VGS = 15V 时，典型 RDS(on)= 60 mohm
- 超低栅极电荷（典型 QG(tot)= 87nC）
- 在TJ = 25°C 时，漏极至源极电压为 900V
- 在TJ = 25°C 时，栅极至源极电压为 +22/-8V
- 工作结温和存储温度范围为 -55 至 +175°C
- TO-247-3LD封装
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
46A
漏源接通状态电阻
0.06ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.7V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
900V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
221W
产品范围
EliteSiC Series
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002