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NTHL080N120SC1A
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHL080N120SC1A
库存编号3528502
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续31A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散178W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
NTHL080N120SC1A is an EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, silicon carbide (SiC) MOSFET. The applications include a UPS, DC-DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Drain-to-source on resistance is 80mohm typ (VGS = 20 V, ID = 20 A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 56nC typ (VGS = -5/20V, VDS = 600V, ID = 20A)
- Output capacitance is 80pF typ (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain-to-source diode forward current is 18A max (VGS = -5V, TJ = 25°C)
- Power dissipation is 178W (TC = 25°C), pulsed drain current is 132A (TA = 25°C)
- Gate resistance is 1.7ohm typ (f = 1MHz)
- Turn-on delay time is 13ns typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- Total switching loss is 311µJ typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- TO-247-3LD package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
31A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.7V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
178W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005