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NTJD4001NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 250 mA, 1 ohm
产品概述
NTJD4001NT1G是一款双N沟道小信号MOSFET，为手机、PDA和DSC等锂离子电池供电设备而设计。它适用于低压侧负载开关、降压转换器和电平转换应用。
- 低栅极电荷, 快速开关
- 栅极带有静电
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
250mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
272mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
NTJD4001NT1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002