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NTJD4105CT2G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
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| 500+ | CNY0.860 (CNY0.9718) |
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| 5000+ | CNY0.647 (CNY0.7311) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTJD4105CT2G
库存编号2724456
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道630mA
连续漏极电流 Id P沟道630mA
漏源通态电阻N沟道0.29ohm
漏源导通电阻P沟道0.29ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道270mW
耗散功率P沟道270mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
630mA
漏源导通电阻P沟道
0.29ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
270mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
630mA
漏源通态电阻N沟道
0.29ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
270mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
NTJD4105CT2G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536