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NTJD5121NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
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| 100+ | CNY0.800 (CNY0.904) |
| 500+ | CNY0.591 (CNY0.6678) |
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| 5000+ | CNY0.322 (CNY0.3639) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTJD5121NT1G
库存编号2317611
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道304mA
连续漏极电流 Id P沟道304mA
漏源通态电阻N沟道1ohm
漏源导通电阻P沟道1ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道266mW
耗散功率P沟道266mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTJD5121NT1G is a dual N-channel Power MOSFET with ESD protection, low gate threshold and low input capacitance.
- ±20V Gate-source voltage
- 900mA Pulsed drain current
- 1400V Gate-source ESD rating
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
304mA
漏源导通电阻P沟道
1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
266mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
304mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
266mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454