打印页面
NTJS3157NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTJS3157NT1G
库存编号2845380
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型SC-88
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值400mV
功率耗散1W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SC-88
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001