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NTMC083NP10M5L
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY7.250 (CNY8.1925) |
| 100+ | CNY5.490 (CNY6.2037) |
| 500+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
| 1000+ | CNY3.490 (CNY3.9437) |
| 5000+ | CNY3.270 (CNY3.6951) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMC083NP10M5L
库存编号3787297
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道4.1A
连续漏极电流 Id P沟道4.1A
漏源通态电阻N沟道0.0594ohm
漏源导通电阻P沟道0.0594ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
Power, dual N- and P-channel (100V, 83mohm, 4.5A, -100V, 131ohm, -3.6A) MOSFET is typically used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material handling, motor drive and home automation applications.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Not ESD protected
- Low conduction loss, standard footprint
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
4.1A
漏源导通电阻P沟道
0.0594ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
4.1A
漏源通态电阻N沟道
0.0594ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001