打印页面
NTMC083NP10M5L
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
11,890 有货
需要更多？
11890 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.250 (CNY11.5825) |
| 10+ | CNY6.530 (CNY7.3789) |
| 100+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
| 500+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
| 1000+ | CNY3.140 (CNY3.5482) |
| 5000+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY10.25 (CNY11.58 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
Power, dual N- and P-channel (100V, 83mohm, 4.5A, -100V, 131ohm, -3.6A) MOSFET is typically used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material handling, motor drive and home automation applications.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Not ESD protected
- Low conduction loss, standard footprint
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
4.1A
漏源导通电阻P沟道
0.0594ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
4.1A
漏源通态电阻N沟道
0.0594ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001