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NTMFS008N12MCT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 79 A, 6500 µohm, SOIC, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY11.580 (CNY13.0854) |
| 100+ | CNY9.090 (CNY10.2717) |
| 500+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
| 1500+ | CNY8.570 (CNY9.6841) |
| 3000+ | CNY8.330 (CNY9.4129) |
| 4500+ | CNY8.060 (CNY9.1078) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS008N12MCT1G
库存编号3766209
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续79A
漏源接通状态电阻6500µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散102W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
79A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
102W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
6500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004