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NTMFS5C604NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, 表面安装
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|---|---|
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| 1500+ | CNY33.310 (CNY37.6403) |
| 3000+ | CNY31.090 (CNY35.1317) |
| 4500+ | CNY29.420 (CNY33.2446) |
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多件: 1
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产品概述
NTMFS5C604NLT1G是一款N沟道功率MOSFET，提供60V漏极源极电压和276A连续漏电流。
- 占地面积小（5 x 6mm），设计紧凑
- 低RDS (ON), 低传导损耗
- 低QG和电容, 降低驱动器损耗
- 工作结温范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
276A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
930µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000222