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NTMFS6H800NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS6H800NT1G
库存编号2835595
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续203A
漏源接通状态电阻1800µohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散200W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
203A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024