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NTMFS6H836NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 74 A, 5600 µohm, DFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY8.600 (CNY9.718) |
| 100+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
| 500+ | CNY5.260 (CNY5.9438) |
| 1000+ | CNY4.760 (CNY5.3788) |
| 5000+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS6H836NT1G
库存编号2981221
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续74A
漏源接通状态电阻5600µohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散89W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
74A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
89W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
5600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361