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NTMJS1D5N04CLTWG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.620 (CNY22.1706) |
| 10+ | CNY12.740 (CNY14.3962) |
| 100+ | CNY9.680 (CNY10.9384) |
| 500+ | CNY7.530 (CNY8.5089) |
| 1000+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
| 5000+ | CNY5.390 (CNY6.0907) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMJS1D5N04CLTWG
库存编号3236750
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续200A
漏源接通状态电阻1200µohm
晶体管封装类型LFPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散110W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200A
晶体管封装类型
LFPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007