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NTMYS2D4N04CTWG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.340 (CNY26.3742) |
| 10+ | CNY19.630 (CNY22.1819) |
| 25+ | CNY18.510 (CNY20.9163) |
| 100+ | CNY15.870 (CNY17.9331) |
| 250+ | CNY15.000 (CNY16.950) |
| 500+ | CNY14.150 (CNY15.9895) |
| 1000+ | CNY12.610 (CNY14.2493) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMYS2D4N04CTWG
库存编号3236757
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续138A
漏源接通状态电阻2300µohm
晶体管封装类型LFPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散83W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
138A
晶体管封装类型
LFPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007