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NTR2101PT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, 表面安装
产品概述
NTR2101PT1G是一款P沟道小信号MOSFET, -8V漏-源极电压, -3.7A连续漏极电流. 适用于DC-DC转换器, 高压侧负载开关, 蜂窝电话, 笔记本电脑, PDA.
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
- -1.8V额定值, 低压栅极驱动
- 表面安装, 占地面积小 (3 x 3mm)
- 工作结温范围-55至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.7A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
8V
漏源接通状态电阻
0.052ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000037