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NTR4003NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY0.605 (CNY0.6836) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR4003NT1G
库存编号1453635
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续560mA
漏源接通状态电阻1.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4V
阈值栅源电压最大值1.4V
功率耗散830mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NTR4003NT1G是一款N沟道小信号MOSFET，提供30V漏源电压和0.5A的连续漏电流。它适用于作为电平转换器、逻辑开关和低端负载开关使用的笔记本电脑。
- 低栅极电压阈值VGS（th），便于驱动电路设计
- 低栅极电荷, 快速开关
- 栅极带有静电
- SOT-23封装提供了出色的散热性能
- 最低额定击穿电压为30V
- 工作结温范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
560mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4V
功率耗散
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000073