打印页面
NTR4003NT3G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, 表面安装
14,444 有货
需要更多？
14444 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.973 (CNY1.0995) |
| 10+ | CNY0.741 (CNY0.8373) |
| 100+ | CNY0.509 (CNY0.5752) |
| 500+ | CNY0.487 (CNY0.5503) |
| 1000+ | CNY0.427 (CNY0.4825) |
| 5000+ | CNY0.404 (CNY0.4565) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
CNY4.86 (CNY5.50 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR4003NT3G
库存编号2101820
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续560mA
漏源接通状态电阻1.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散830mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NTR4003NT3G is a N-channel Small Signal MOSFET features low gate voltage threshold to facilitate drive circuit design and minimum breakdown voltage rating of 30V. It is suitable for level shifting, logic switches and low side load switches.
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
560mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4V
功率耗散
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
NTR4003NT3G 的替代之选
找到 3 件产品
相关产品
找到 5 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006