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NTR4501NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR4501NT1G
库存编号1431305RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.2A
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散1.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NTR4501NT1G是一款20V N沟道功率MOSFET, 采用领先的平面技术, 用于低栅极电荷/快速开关. 它适用于便携式与计算机的DC-DC转换, 负载/电源开关.
- 2.5V额定值, 低压栅极驱动
- ±12V栅-源电压
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000031