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NTR4502PT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR4502PT1G
库存编号1431308
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续1.95A
漏源接通状态电阻0.2ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NTR4502PT1G 是一款P沟道功率MOSFET, -30V漏-源极电压, -1.95A连续漏极电流。适用于DC-DC转换和负载/电源开关, 适合便携式设备, 主板, 笔记本电脑, 摄像机, 数码相机和电池充电电路等应用。
- 平面技术, 低栅极电荷/快速开关
- 低RDS (ON), 低传导损耗
- 表面安装, 占地面积小 (3 x 3mm)
- 工作结温范围: -55到150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.95A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000037