打印页面
NTR4503NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, 表面安装
16,496 有货
需要更多？
5290 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
11206 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.300 (CNY3.729) |
| 10+ | CNY2.520 (CNY2.8476) |
| 100+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 500+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
| 1000+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
| 2500+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY16.50 (CNY18.64 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR4503NT1G
库存编号1431309
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2.5A
漏源接通状态电阻0.14ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.75V
功率耗散730mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NTR4503NT1G 是一款N沟道功率MOSFET, 30V漏-源极电压, 2A连续漏极电流。适用于DC-DC转换和负载/电源开关, 适合便携式设备和计算机应用。
- 平面技术, 低栅极电荷/快速开关
- 4.5V额定值, 低压栅极驱动
- 表面安装, 占地面积小 (3 x 3mm)
- 工作结温范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
730mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
NTR4503NT1G 的替代之选
找到 5 件产品
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049