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NTTFD9D0N06HLTWG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.0073 ohm
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| 500+ | CNY7.230 (CNY8.1699) |
| 3000+ | CNY7.160 (CNY8.0908) |
| 6000+ | CNY7.080 (CNY8.0004) |
| 9000+ | CNY7.010 (CNY7.9213) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTTFD9D0N06HLTWG
库存编号3464014
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道38A
连续漏极电流 Id P沟道38A
漏源通态电阻N沟道0.0073ohm
漏源导通电阻P沟道0.0073ohm
晶体管封装类型WQFN
针脚数12引脚
耗散功率N沟道26W
耗散功率P沟道26W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
38A
漏源导通电阻P沟道
0.0073ohm
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
26W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
38A
漏源通态电阻N沟道
0.0073ohm
晶体管封装类型
WQFN
耗散功率N沟道
26W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024