打印页面
NTTFD9D0N06HLTWG
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
2,520 有货
需要更多？
2520 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.120 (CNY15.9556) |
| 10+ | CNY10.690 (CNY12.0797) |
| 100+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 500+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
| 1000+ | CNY7.230 (CNY8.1699) |
| 5000+ | CNY6.900 (CNY7.797) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY14.12 (CNY15.96 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTTFD9D0N06HLTWG
库存编号3464014
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道38A
连续漏极电流 Id P沟道38A
漏源通态电阻N沟道0.009ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型WQFN
针脚数12引脚
耗散功率N沟道26W
耗散功率P沟道26W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
38A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
26W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
38A
漏源通态电阻N沟道
0.009ohm
晶体管封装类型
WQFN
耗散功率N沟道
26W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024