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NTTFS4C02NTAG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 170 A, 0.00225 ohm, WDFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 10+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 100+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 500+ | CNY3.010 (CNY3.4013) |
| 1500+ | CNY2.950 (CNY3.3335) |
| 4500+ | CNY2.490 (CNY2.8137) |
| 12000+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 22500+ | CNY1.560 (CNY1.7628) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTTFS4C02NTAG
库存编号2775452
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续170A
漏源接通状态电阻0.00225ohm
晶体管封装类型WDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散91W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170A
晶体管封装类型
WDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
91W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.00225ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001