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数量 | 价钱 (含税) |
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10+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
100+ | CNY0.987 (CNY1.1153) |
500+ | CNY0.688 (CNY0.7774) |
4000+ | CNY0.666 (CNY0.7526) |
12000+ | CNY0.662 (CNY0.7481) |
32000+ | CNY0.659 (CNY0.7447) |
60000+ | CNY0.656 (CNY0.7413) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTZD3155CT1G.
库存编号1705629
技术数据表
通道类型Complementary N and P Channel
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道540mA
连续漏极电流 Id P沟道540mA
漏源通态电阻N沟道0.4ohm
漏源导通电阻P沟道0.4ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道250mW
耗散功率P沟道250mW
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
技术规格
通道类型
Complementary N and P Channel
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
Compute Module 3+ Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
NTZD3155CT1G. 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000726