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NTZD3155CT1G.
场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-563
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|---|---|
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| 10+ | CNY1.780 (CNY2.0114) |
| 100+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 500+ | CNY0.882 (CNY0.9967) |
| 4000+ | CNY0.740 (CNY0.8362) |
| 12000+ | CNY0.726 (CNY0.8204) |
| 32000+ | CNY0.710 (CNY0.8023) |
| 60000+ | CNY0.696 (CNY0.7865) |
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技术规格
通道类型
Complementary N and P Channel
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
NTZD3155CT1G. 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726