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NVBG020N120SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG020N120SC1
库存编号3265484
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续98A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散468W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
NVBG020N120SC1 是一款碳化硅 (SiC) MOSFET。典型应用包括汽车板载充电器、用于电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC-DC 转换器。
- 通过 AEC-Q101 认证，符合 PPAP 要求
- 100%经过雪崩测试
- 低有效输出电容（典型值 Coss= 258pF）
- 在TJ = 25°C 时，漏极至源极电压为 1200V
- 在TC = 25°C 时，连续漏极电流为 98A
- 在TC = 25°C 时，功率耗散为 3.7W
- 在TA = 25°C、tp = 10µs、RG = 4.7ohm 时，单脉冲浪涌漏极电流能力为 807A
- 工作结温和存储温度范围为 -55 至 +175°C
- D2PAK-7L封装
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
98A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.7V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
468W
产品范围
EliteSiC Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024