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NVD5C454NT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 82 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.980 (CNY21.4474) |
| 10+ | CNY11.060 (CNY12.4978) |
| 100+ | CNY8.590 (CNY9.7067) |
| 500+ | CNY7.170 (CNY8.1021) |
| 2500+ | CNY7.010 (CNY7.9213) |
| 5000+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
| 7500+ | CNY6.700 (CNY7.571) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVD5C454NT4G
库存编号2895728
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续82A
漏源接通状态电阻0.0036ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散56W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
82A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
56W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0036ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001