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NVJD5121NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY0.912 (CNY1.0306) |
| 100+ | CNY0.688 (CNY0.7774) |
| 500+ | CNY0.621 (CNY0.7017) |
| 3000+ | CNY0.585 (CNY0.661) |
| 9000+ | CNY0.549 (CNY0.6204) |
| 24000+ | CNY0.514 (CNY0.5808) |
| 45000+ | CNY0.478 (CNY0.5401) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品概述
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
295mA
漏源导通电阻P沟道
1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
295mA
漏源通态电阻N沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000025