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NVJS4151PT1G
功率场效应管, MOSFET, 沟, P通道, 20 V, 3.2 A, 0.067 ohm, SOT-363, 表面安装
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| 10+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 100+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 500+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
| 1000+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 5000+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVJS4151PT1G
库存编号3368860
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.2A
漏源接通状态电阻0.067ohm
晶体管封装类型SOT-363
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散1.2W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.2A
晶体管封装类型
SOT-363
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.067ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004