打印页面
NVMFD5C466NLWFT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 52 A, 52 A, 0.0062 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD5C466NLWFT1G
库存编号2835603
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道52A
连续漏极电流 Id P沟道52A
漏源通态电阻N沟道0.0062ohm
漏源导通电阻P沟道0.0062ohm
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道40W
耗散功率P沟道40W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
52A
漏源导通电阻P沟道
0.0062ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
40W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
52A
漏源通态电阻N沟道
0.0062ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
40W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012