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NVMFS5113PLT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, 表面安装
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| 500+ | CNY10.150 (CNY11.4695) |
| 1500+ | CNY9.620 (CNY10.8706) |
| 3000+ | CNY9.090 (CNY10.2717) |
| 4500+ | CNY8.550 (CNY9.6615) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFS5113PLT1G
库存编号2845392
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续64A
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散150W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
64A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.014ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000171