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NVMFS5C442NLAFT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 130 A, 2000 µohm, DFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.760 (CNY17.8088) |
| 10+ | CNY10.910 (CNY12.3283) |
| 100+ | CNY8.300 (CNY9.379) |
| 500+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 1500+ | CNY7.730 (CNY8.7349) |
| 3000+ | CNY7.440 (CNY8.4072) |
| 4500+ | CNY7.140 (CNY8.0682) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
130A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
5引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.0004