打印页面
NVMYS8D0N04CTWG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, 表面安装
1,100 有货
需要更多？
1100 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
| 10+ | CNY3.590 (CNY4.0567) |
| 100+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 500+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 3000+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 9000+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 24000+ | CNY2.800 (CNY3.164) |
| 45000+ | CNY2.740 (CNY3.0962) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY18.35 (CNY20.74 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMYS8D0N04CTWG
库存编号3236774
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续49A
漏源接通状态电阻8100µohm
晶体管封装类型LFPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散38W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
49A
晶体管封装类型
LFPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
38W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
8100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0007