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NVS4001NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
| 10+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 100+ | CNY0.964 (CNY1.0893) |
| 500+ | CNY0.920 (CNY1.0396) |
| 1000+ | CNY0.554 (CNY0.626) |
| 5000+ | CNY0.501 (CNY0.5661) |
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多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVS4001NT1G
库存编号2774830
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续270mA
漏源接通状态电阻1ohm
晶体管封装类型SC-70
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散330mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
270mA
晶体管封装类型
SC-70
Rds(on)测试电压
4V
功率耗散
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001