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NVTFS9D6P04M8LTAG
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY8.230 (CNY9.2999) |
| 100+ | CNY6.370 (CNY7.1981) |
| 500+ | CNY4.570 (CNY5.1641) |
| 1500+ | CNY4.420 (CNY4.9946) |
| 3000+ | CNY4.270 (CNY4.8251) |
| 4500+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVTFS9D6P04M8LTAG
库存编号3367872
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续64A
漏源接通状态电阻0.0075ohm
晶体管封装类型WDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散75W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
64A
晶体管封装类型
WDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
75W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0075ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004