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NVTFWS014P04M8LTAG
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVTFWS014P04M8LTAG
库存编号3367874
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续49A
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型WDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散61W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
49A
晶体管封装类型
WDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
61W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004