打印页面
NXH100B120H3Q0PTG
IGBT模块, 双, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：13 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY444.260 (CNY502.0138) |
| 5+ | CNY416.260 (CNY470.3738) |
| 10+ | CNY388.260 (CNY438.7338) |
| 50+ | CNY382.520 (CNY432.2476) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY444.26 (CNY502.01 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH100B120H3Q0PTG
库存编号3265489
产品范围NXH100B120H3Q0
技术数据表
IGBT配置双
连续集电极电流50A
集电极-发射极饱和电压1.77V
功率耗散186W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型PIM
IGBT端接压合
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术Trench Field Stop
晶体管安装面板
产品范围NXH100B120H3Q0
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
IGBT配置
双
集电极-发射极饱和电压
1.77V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
压合
IGBT技术
Trench Field Stop
产品范围
NXH100B120H3Q0
连续集电极电流
50A
功率耗散
186W
晶体管封装类型
PIM
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001