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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号PZT2222AT1G
库存编号1459167RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压40V
连续集电极电流600mA
功率耗散1.5W
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率300MHz
直流电流增益, Hfe 最小值300hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The PZT2222AT1G is an NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor designed for use in linear and switching and medium power surface mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified. The SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints.
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
600mA
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
300hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
1.5W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
300MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000416