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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号PZT751T1G
库存编号2317591
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压60V
连续集电极电流2A
功率耗散800mW
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率75MHz
直流电流增益, Hfe 最小值40hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
-
MSL
MSL 3 - 168小时
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
800mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
75MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
PZT751T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000251