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QED223
红外发射器, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
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| 25+ | CNY3.690 (CNY4.1697) |
| 50+ | CNY3.300 (CNY3.729) |
| 100+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 500+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号QED223
库存编号2322566
技术数据表
波长峰值890nm
半强角度30°
二极管封装类型T-1 3/4 (5mm)
辐射强度 (Ie)25mW/Sr
上升时间900ns
衰减时间 tf800ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.7V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值100°C
汽车质量标准-
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The QED223 is an 880nm Infrared Light Emitter Diode encapsulated in a clear purple tinted plastic package. It is suitable for use in medical electronics/devices, automation, test and measurement, building & home control.
- Chip material - AlGaAs
- QSD123/QSD124 matched photo sensor
- 30° Medium wide emission angle
- High output power
技术规格
波长峰值
890nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
900ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
MSL
-
半强角度
30°
辐射强度 (Ie)
25mW/Sr
衰减时间 tf
800ns
正向电压 Vf 最大值
1.7V
工作温度最高值
100°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000327