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SMUN5235DW1T1G
晶体管 双极预偏置/数字, 双NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
| 100+ | CNY0.770 (CNY0.8701) |
| 500+ | CNY0.501 (CNY0.5661) |
| 3000+ | CNY0.374 (CNY0.4226) |
| 9000+ | CNY0.308 (CNY0.348) |
| 24000+ | CNY0.285 (CNY0.322) |
| 45000+ | CNY0.280 (CNY0.3164) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号SMUN5235DW1T1G
库存编号2728089
技术数据表
晶体管极性双NPN
数字晶体管极性双路 NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R12.2kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R20.047电阻比率
晶体管封装类型SOT-363
射频晶体管封装SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散385mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值80hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
385mW
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
2.2kohm
电阻比 R1/R2
0.047电阻比率
射频晶体管封装
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
SMUN5235DW1T1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000389