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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号TIP120G
库存编号2535659
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo60V
功耗 Pd65W
集电极直流电流5A
射频晶体管封装TO-220
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE1000hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The TIP120G is a NPN Darlington bipolar Power Transistor, designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications.
- High DC current gain
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
65W
射频晶体管封装
TO-220
直流电流增益, hFE
1000hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
集电极发射电压, Vceo
60V
集电极直流电流
5A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002776