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2N7000BU
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, 通孔
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| 100+ | CNY0.859 (CNY0.9707) |
| 500+ | CNY0.852 (CNY0.9628) |
| 1000+ | CNY0.747 (CNY0.8441) |
| 5000+ | CNY0.681 (CNY0.7695) |
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产品概述
The 2N7000BU is an advanced small-signal N-channel enhancement-mode MOSFET produced using high cell density DMOS technology. It minimizes ON-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. It is particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching times
- Improved inductive ruggedness
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved high-temperature reliability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
TO-226AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
2N7000BU 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000205