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2N7002T
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 2 ohm, SOT-523F, 表面安装
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| 10+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 100+ | CNY0.875 (CNY0.9888) |
| 500+ | CNY0.860 (CNY0.9718) |
| 1000+ | CNY0.591 (CNY0.6678) |
| 5000+ | CNY0.532 (CNY0.6012) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002T
库存编号2322570
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续115mA
漏源接通状态电阻2ohm
晶体管封装类型SOT-523F
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.76V
功率耗散200mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The 2N7002T is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-523F
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.76V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005