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BC856BDW1T1G
双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, 65 V, 100 mA
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BC856BDW1T1G
库存编号2317637RL
产品范围BCxxx Series
技术数据表
晶体管极性双PNP
集电极发射电压, Vceo-65V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极直流电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP65V
功耗 Pd380mW
连续集电极电流NPN-
直流电流增益, hFE220hFE
连续集电极电流NPN100mA
耗散功率NPN-
耗散功率PNP380mW
直流电流增益hFE最小值NPN-
直流电流增益hFE最小值PNP220hFE
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-
转换频率NPN100MHz
产品范围BCxxx Series
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BC856BDW1T1G is a PNP dual Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
65V
连续集电极电流NPN
-
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率PNP
380mW
直流电流增益hFE最小值PNP
220hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
100MHz
合规
-
MSL
-
集电极发射电压, Vceo
-65V
集电极直流电流
-100mA
功耗 Pd
380mW
直流电流增益, hFE
220hFE
耗散功率NPN
-
直流电流增益hFE最小值NPN
-
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-
产品范围
BCxxx Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006