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BSS138LT3G
场效应管, N沟道, MOSFET, 50V, 200MA SOT-23
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS138LT3G
库存编号1764522
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds50V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻5.6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压2.75V
阈值栅源电压最大值500mV
功率耗散225mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
2.75V
功率耗散
225mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
5.6ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
500mV
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000051