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ECH8667-TL-H
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号ECH8667-TL-H
库存编号3368882RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续5.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.03ohm
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.03ohm
晶体管封装类型SOT-28FL
阈值栅源电压最大值2.6V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
5.5A
在电阻RDS（上）
0.03ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-28FL
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
漏源导通电阻P沟道
0.03ohm
阈值栅源电压最大值
2.6V
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004