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ECH8690-TL-H
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
| 500+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 3000+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 9000+ | CNY2.870 (CNY3.2431) |
| 24000+ | CNY2.820 (CNY3.1866) |
| 45000+ | CNY2.760 (CNY3.1188) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号ECH8690-TL-H
库存编号2845400RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续4.7A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.042ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道4.7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.042ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.042ohm
晶体管封装类型ECH
阈值栅源电压最大值-
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
4.7A
在电阻RDS（上）
0.042ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.042ohm
漏源导通电阻P沟道
0.042ohm
阈值栅源电压最大值
-
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
ECH
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536