打印页面
FCD1300N80Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCD1300N80Z
库存编号3253669RL
产品范围SuperFET II
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻1.05ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散52W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SuperFET II
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
1.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
SuperFET II
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
FCD1300N80Z 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0018