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FCMT250N65S3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, PQFN, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCMT250N65S3
库存编号2895658RL
产品范围SUPERFET III
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.21ohm
晶体管封装类型PQFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散90W
针脚数5引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SUPERFET III
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
90W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.21ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
5引脚
产品范围
SUPERFET III
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001