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FDD3510H
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 80 V, 80 V, 13.9 A, 13.9 A, 0.08 ohm
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD3510H
库存编号2825153RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压, Vds80V
漏源电压Vds P沟道80V
电流, Id 连续13.9A
连续漏极电流 Id N沟道13.9A
在电阻RDS（上）0.08ohm
连续漏极电流 Id P沟道13.9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.08ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.08ohm
阈值栅源电压最大值2.6V
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
功耗 Pd3.1W
针脚数5引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
80V
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
13.9A
连续漏极电流 Id P沟道
13.9A
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
漏源导通电阻P沟道
0.08ohm
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
5引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
80V
电流, Id 连续
13.9A
在电阻RDS（上）
0.08ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.6V
功耗 Pd
3.1W
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004